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半導體/電子行業超純水系統

分割線 半導體/電子行業超純水

半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業、大規模、超大規模集成電路等電子行業領域需用大量的純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,芯片上的組件或連接組件間的配線線徑越細,對水質的要求也越高(一般要求超純水電阻率18.2MΩ.cm(25℃)、TOC<5ppb、細菌內毒素<0.03EU/ml)。超純水水質已成為影響電子元器件產品質量、生產成品率及生產成本的重要因素之一。

超純水水質對電子/半導體行業產品品質的影響

在電解電容器生產中,鋁箔及工作件的清洗需用超純水,如水中含有氯離子,電容器就會漏電。在電子管生產中,電子管陰極涂敷碳酸鹽,如其中混入雜質,就會影響電子的發射,進而影響電子管的放大性能及壽命,因此其配液要使用超純水。在顯像管和陰極射線管生產中,其熒光屏內壁用噴涂法或沉淀法附著一層熒光物質,是鋅或其他金屬的硫化物組成的熒光粉顆粒并用硅酸鉀粘合而成,其配制需用超純水,如超純水中含銅在8ppb以上,就會引起發光變色;含鐵在 50ppb以上就會使發光變色、變暗、閃光跳躍;含有機物膠體、微粒、細菌等,就會降低熒光層強度及其與玻殼的粘附力,并會造成氣泡、條跡、漏光點等廢次品。在黑白顯像管熒光屏生產的 12個工序中,玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗等5 個工序需使用超純水,每生產一個顯像管需用超純水80kg。液晶顯示器的屏面需用超純水清洗和用超純水配液,如超純水中存在著金屬離子、微生物、微粒等雜質,就會使液晶顯示電路發生故障,影響液晶屏質量,導致廢、次品。顯像管、液晶顯示器生產對超純水水質的要求見附表1。

在晶體管、集成電路生產中,超純水主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產過程中的80%的工序需要使用超純水清洗硅片,水質的好壞與集成電路的產品質量及生產成品率關系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結耐壓降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化,水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區域變為N型硅而導致器件性能變壞,水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面,就會引起電路短路或特性變差。集成電路生產對超純水水質的要求見附表2。

沛億半導體/電子行業超純水系統工藝流程

根據客戶需求,沛億半導體/電子行業超純水系統可采用以下兩種制水工藝流程,兩種流程產水水質均可滿足半導體/電子行業超純水水質標準。

制水工藝流程1(傳統工藝):反滲透與離子交換相組合的工藝方式,其基本流程為:原水→機械過濾器→活性炭過濾器→樹脂軟水器(或阻垢計量加藥系統)→精密過濾器→高壓泵→反滲透設備→純水箱→紫外滅菌儀→加壓泵→(復床)混床→精密過濾器→用水點。

制水工藝流程2(最新工藝):反滲透與電去離子(EDI)相組合的工藝方式,這是一種制取超純水的最新工藝,也是一種環保、經濟、發展潛力巨大的超純水制備工藝,其基本工藝流程為::原水→機械過濾器→活性炭過濾器→樹脂軟水器(或阻垢計量加藥系統)→精密過濾器→高壓泵→反滲透設備→純水箱→紫外滅菌儀→加壓泵→電去離子(EDI)→精密過濾器→用水點。

集成電路超純水工藝流程
1.進水泵浦(交替運轉)10.254nm紫外線殺菌器
2.活性碳過濾器11.陽離子床
3.軟化過濾器12.陰離子床
4.精密過濾器13.0.45電子級濾芯
5.抑垢劑用泵14.185nm紫外線殺菌器
6.高壓增壓泵15.增壓輸送泵
7.RO單元16.精煉混合床
8.貯存槽17.254nm紫外線殺菌器
9.純水輸送泵18.0.2um電子級濾芯
注:上列流程謹供參考

沛億半導體/電子行業超純水系統特點

半導體/電子行業超純水系統工程實例

半導體/電子行業超純水系統(預處理部分)

半導體/電子行業超純水系統(預處理部分)

半導體/電子行業超純水系統(EDI部分)

半導體/電子行業超純水系統(EDI部分)

附表1:顯像管、液晶顯示器用超純水水質要求

項目單位電阻率細菌微粒TOCNa+K+CuFeZn
MΩ.cm(25℃)個/ml個/mlmg/Lμg/Lμg/Lμg/Lμg/Lμg/L
黑白顯像管≥5≤5≤10(Φ>0.5μ)≤0.5≤10≤10≤8≤10≤10
彩色顯像管≥5≤1≤10(Φ>1μ)≤0.5≤10≤10≤10≤10≤10
液晶顯示器≥5 ≤1≤10(Φ>1μ)≤1≤10≤10≤10≤10≤10

附表2:集成電路(DRAM)對超純水水質的要

集成電路(DRAM)集成度16K64K256K1M4M16M
相鄰線距(μm)42.21.81.20.80.5
微粒直徑(μm)0.40.20.20.10.080.05
個數(PCS/ml)<100<100<20<20<10<10
細菌(CFU/100ML)<100<50<10<5<1<0.5
電阻率(MΩ.cm,25℃)>16>17>17.5>18>18>18.2
TOC(ppb)<1000<500<100<50<30<10
DO(ppb)<500<200<100<80<50<10
Na+(ppb)<1<1<0.8<0.5<0.1<0.1

附表3:電子級水的技術指標

指標/級別EW-ⅠEW-ⅡEW-ⅢEW-Ⅳ
電阻率
MΩ.cm(25℃)
18以上(95%時
間)不低于17
15(95%時間)
不低于13
120.5
全硅,最大值,μg/L210501000
>1μm微粒數,最大值,個/mL0.1510500
細菌個數,最大值,個/mL0.010.110100
銅,最大值,μg/L0.212500
鋅,最大值,μg/L0.215500
鎳,最大值,μg/L0.112500
鈉,最大值,μg/L0.5251000
鉀,最大值,μg/L0.525500
氯,最大值,μg/L11101000
硝酸根,最大值,μg/L115500
磷酸根,最大值,μg/L115500
硫酸根,最大值,μg/L115500
總有機碳,最大值,μg/L20100200l000