半導體/電子行業超純水系統
分割線
半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業、大規模、超大規模集成電路等電子行業領域需用大量的純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,芯片上的組件或連接組件間的配線線徑越細,對水質的要求也越高(一般要求超純水電阻率18.2MΩ.cm(25℃)、TOC<5ppb、細菌內毒素<0.03EU/ml)。超純水水質已成為影響電子元器件產品質量、生產成品率及生產成本的重要因素之一。
超純水水質對電子/半導體行業產品品質的影響
在電解電容器生產中,鋁箔及工作件的清洗需用超純水,如水中含有氯離子,電容器就會漏電。在電子管生產中,電子管陰極涂敷碳酸鹽,如其中混入雜質,就會影響電子的發射,進而影響電子管的放大性能及壽命,因此其配液要使用超純水。在顯像管和陰極射線管生產中,其熒光屏內壁用噴涂法或沉淀法附著一層熒光物質,是鋅或其他金屬的硫化物組成的熒光粉顆粒并用硅酸鉀粘合而成,其配制需用超純水,如超純水中含銅在8ppb以上,就會引起發光變色;含鐵在 50ppb以上就會使發光變色、變暗、閃光跳躍;含有機物膠體、微粒、細菌等,就會降低熒光層強度及其與玻殼的粘附力,并會造成氣泡、條跡、漏光點等廢次品。在黑白顯像管熒光屏生產的 12個工序中,玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗等5 個工序需使用超純水,每生產一個顯像管需用超純水80kg。液晶顯示器的屏面需用超純水清洗和用超純水配液,如超純水中存在著金屬離子、微生物、微粒等雜質,就會使液晶顯示電路發生故障,影響液晶屏質量,導致廢、次品。顯像管、液晶顯示器生產對超純水水質的要求見附表1。
在晶體管、集成電路生產中,超純水主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產過程中的80%的工序需要使用超純水清洗硅片,水質的好壞與集成電路的產品質量及生產成品率關系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結耐壓降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化,水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區域變為N型硅而導致器件性能變壞,水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面,就會引起電路短路或特性變差。集成電路生產對超純水水質的要求見附表2。
沛億半導體/電子行業超純水系統工藝流程
根據客戶需求,沛億半導體/電子行業超純水系統可采用以下兩種制水工藝流程,兩種流程產水水質均可滿足半導體/電子行業超純水水質標準。
制水工藝流程1(傳統工藝):反滲透與離子交換相組合的工藝方式,其基本流程為:原水→機械過濾器→活性炭過濾器→樹脂軟水器(或阻垢計量加藥系統)→精密過濾器→高壓泵→反滲透設備→純水箱→紫外滅菌儀→加壓泵→(復床)混床→精密過濾器→用水點。
制水工藝流程2(最新工藝):反滲透與電去離子(EDI)相組合的工藝方式,這是一種制取超純水的最新工藝,也是一種環保、經濟、發展潛力巨大的超純水制備工藝,其基本工藝流程為::原水→機械過濾器→活性炭過濾器→樹脂軟水器(或阻垢計量加藥系統)→精密過濾器→高壓泵→反滲透設備→純水箱→紫外滅菌儀→加壓泵→電去離子(EDI)→精密過濾器→用水點。

1.進水泵浦(交替運轉) | 10.254nm紫外線殺菌器 |
2.活性碳過濾器 | 11.陽離子床 |
3.軟化過濾器 | 12.陰離子床 |
4.精密過濾器 | 13.0.45電子級濾芯 |
5.抑垢劑用泵 | 14.185nm紫外線殺菌器 |
6.高壓增壓泵 | 15.增壓輸送泵 |
7.RO單元 | 16.精煉混合床 |
8.貯存槽 | 17.254nm紫外線殺菌器 |
9.純水輸送泵 | 18.0.2um電子級濾芯 |
注:上列流程謹供參考 |
沛億半導體/電子行業超純水系統特點
- 水箱缺水自動制水、滿水自動停機、定時自維護沖洗、低壓/高壓報警等全自動功能。
- 全手動功能,可手動開啟各個電磁閥和水泵,供應急或清洗消毒時使用。
- 軟件計算系統最佳工作參數,壓力、流量、脫鹽率等。
- 反滲透膜、混床樹脂、EDI模塊等核心部件均為進口優質產品。
- PLC全自動控制系統,系統狀態指示燈指示系統工作狀態。
- 在線水質檢測控制儀表,隨時檢測水質。
- 電子超純水專用CPVC管道,溶出物超低,絕少泄漏。
- 可按客戶需求設計超純水輸送管道系統為無死角循環系統,充分保證產水水質。
- CIP就地清洗消毒接口,方便設備清洗消毒維護。
半導體/電子行業超純水系統工程實例
半導體/電子行業超純水系統(預處理部分)

半導體/電子行業超純水系統(EDI部分)

附表1:顯像管、液晶顯示器用超純水水質要求
項目單位 | 電阻率 | 細菌 | 微粒 | TOC | Na+ | K+ | Cu | Fe | Zn |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MΩ.cm(25℃) | 個/ml | 個/ml | mg/L | μg/L | μg/L | μg/L | μg/L | μg/L | |
黑白顯像管 | ≥5 | ≤5 | ≤10(Φ>0.5μ) | ≤0.5 | ≤10 | ≤10 | ≤8 | ≤10 | ≤10 |
彩色顯像管 | ≥5 | ≤1 | ≤10(Φ>1μ) | ≤0.5 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
液晶顯示器 | ≥5 | ≤1 | ≤10(Φ>1μ) | ≤1 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
附表2:集成電路(DRAM)對超純水水質的要
集成電路(DRAM)集成度 | 16K | 64K | 256K | 1M | 4M | 16M | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
相鄰線距(μm) | 4 | 2.2 | 1.8 | 1.2 | 0.8 | 0.5 | |
微粒 | 直徑(μm) | 0.4 | 0.2 | 0.2 | 0.1 | 0.08 | 0.05 |
個數(PCS/ml) | <100 | <100 | <20 | <20 | <10 | <10 | |
細菌(CFU/100ML) | <100 | <50 | <10 | <5 | <1 | <0.5 | |
電阻率(MΩ.cm,25℃) | >16 | >17 | >17.5 | >18 | >18 | >18.2 | |
TOC(ppb) | <1000 | <500 | <100 | <50 | <30 | <10 | |
DO(ppb) | <500 | <200 | <100 | <80 | <50 | <10 | |
Na+(ppb) | <1 | <1 | <0.8 | <0.5 | <0.1 | <0.1 |
附表3:電子級水的技術指標
指標/級別 | EW-Ⅰ | EW-Ⅱ | EW-Ⅲ | EW-Ⅳ |
---|---|---|---|---|
電阻率 MΩ.cm(25℃) | 18以上(95%時 間)不低于17 | 15(95%時間) 不低于13 | 12 | 0.5 |
全硅,最大值,μg/L | 2 | 10 | 50 | 1000 |
>1μm微粒數,最大值,個/mL | 0.1 | 5 | 10 | 500 |
細菌個數,最大值,個/mL | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 |
銅,最大值,μg/L | 0.2 | 1 | 2 | 500 |
鋅,最大值,μg/L | 0.2 | 1 | 5 | 500 |
鎳,最大值,μg/L | 0.1 | 1 | 2 | 500 |
鈉,最大值,μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 1000 |
鉀,最大值,μg/L | 0.5 | 2 | 5 | 500 |
氯,最大值,μg/L | 1 | 1 | 10 | 1000 |
硝酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
磷酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
硫酸根,最大值,μg/L | 1 | 1 | 5 | 500 |
總有機碳,最大值,μg/L | 20 | 100 | 200 | l000 |